>Expérimentations

Mesures en fonctionnement des paramètres des jonctions, leurs évolutions sont suivies tout le long d'expériences de vieillissements en imposant des conditions extrêmes.

Détermination de paramètres indicateur de fiabilité. 

 Enregistrements des caractéristiques courant tension  des jonctions n-p (Si, Ge, …)dans un intervalle de température étendu de 77k à 450K. pour analyse et modélisation, températures électroniques.

 Étude expérimentale en utilisant des lentilles pour concentrer l'énergie lumineuse sur des photopiles. Les températures électronique et de réseau sont déterminées à partir de l'enregistrement des caractéristiques I(V).

 Mesure des réponses de composants à structure MOS aux commandes en commutation, après forte contrainte et aussi sur une large plage de température.

 Suivi des évolutions des émissions lumineuses par le silicium sous contrainte électrique: amplification et localisation par création de nano-couches de défauts dans des transistors bipolaires.

Last modified: 09/10/10